Bajo precio sic 85% 88% 90% Silicon Carbide
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Bajo precio sic 85% 88% 90% Silicon Carbide

El carburo de silicio (SIC) es un material semiconductor compuesto del grupo IV-IV compuesto de silicio (Si) y carbono (C). Tiene una estructura de diamante, alta dureza (dureza de Mohs 9.3, segundo solo de diamante), alta resistencia a la temperatura, resistencia a la corrosión y buena estabilidad química.
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Introducción

 

Carburo de silicio (sic)es un material semiconductor compuesto de grupo IV-IV compuesto de silicio (SI) y carbono (C). Tiene una estructura de diamante, alta dureza (dureza de Mohs 9.3, segundo solo de diamante), alta resistencia a la temperatura, resistencia a la corrosión y buena estabilidad química. Raramente existe en la naturaleza y se obtiene principalmente a través de la síntesis artificial (como el método Acheson, el método CVD).

  

Ventajas del núcleo:

 

Alta eficiencia: baja pérdida de conducción, alta frecuencia de conmutación, mejora de la eficiencia de conversión de energía (como aumentar la eficiencia de los inversores de vehículos eléctricos en 5-10%).

Estabilidad de alta temperatura y alta presión: adecuada para entornos extremos como las industrias aeroespaciales y militares.

Miniaturización: la alta resistencia al campo de descomposición permite diseños de materiales más delgados y reduce el volumen del dispositivo.

Ahorro de energía: reduzca los requisitos de disipación de calor del sistema y menores costos de enfriamiento.

 

Áreas de aplicación de carburo de silicio


Power Electronics (Core Market)

Inversores: vehículos eléctricos (Tesla, BYD, etc.), generación de energía fotovoltaica.

Módulo de alimentación: accionamiento industrial de motor, UPS ininterrumpible fuente de alimentación.

Estación de carga: equipo de carga rápida (dispositivos SIC admiten un mayor voltaje/corriente).

Nuevos vehículos de energía

Inversor de unidad principal (para mejorar la duración de la batería), el cargador a bordo (OBC), el convertidor DC-DC.

Tránsito ferroviario

Convertidores de alto voltaje (como sistemas de tracción ferroviaria de alta velocidad).

Industria aeroespacial y militar

Dispositivos resistentes a la radiación, sistemas de energía de la aeronave.

5G Comunicación

Dispositivos RF de alta potencia (amplificadores de potencia de la estación base).

Otras áreas

Iluminación LED (sustrato SIC para LED de alto brillo), materiales resistentes al desgaste (herramientas de corte, armadura a prueba de balas).

 

Tendencias futuras


Reducción de costos: con la producción en masa de 6- pulgadas/8-} Wafers SIC de pulgadas, los precios abordarán gradualmente los dispositivos basados ​​en silicio.

Aceleración alternativa: la demanda de vehículos eléctricos y energía renovable está explotando (se espera que supere los $ 10 mil millones en el tamaño del mercado de SIC para 2030).

El carburo de silicio es aclamado como el material central del "semiconductor de tercera generación" y está impulsando el progreso revolucionario en el campo de la electrónica de potencia.

 

- 7

 

 

Calificación

Composición química (%)

Sic

FC

Fe2o3

Humedad

Mayor o igual a min

Menos o igual a max

Sic 90

90.0

3.0

1.20

  

 

 

0.50

 

Sic 88

88.0

4.0

1.50

Sic 85

85.0

4.5

1.80

Sic 80

80.0

5.0

3.0

Sic 70

70.0

8.0

4.0

Tamaño

{{{0}} mm, 0-10 mm, 0-5 mm, 0. 5-5 mm; etc.

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